SK海力士开发出世界首款12层堆叠HBM3 DRAM
4月20日，海力SK海力士宣布，士开世界首款全球首次实现垂直堆叠12个单品DRAM芯片，发出成功开发出最高容量24GB的层堆HBM3 DRAM新产品。新品采用先进（Advanced）MR-MUF3和TSV4技术。海力通过先进MR-MUF技术加强了工艺效率和产品性能的士开世界首款稳定性，又利用TSV技术将12个比现有芯片薄40%的发出单品DRAM芯片垂直堆叠，实现了与16GB产品相同的层堆高度。海力
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